磁性接近開(kāi)關(guān)如何實(shí)現(xiàn)雙極檢測(cè)？

芯片封裝中的磁性接近開(kāi)關(guān)沒(méi)有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，也可能由磁鐵的s極或N極觸發(fā)。當(dāng)磁鐵嵌入固定時(shí)，用戶(hù)在維護(hù)和更換時(shí)需要區(qū)分磁鐵的極性，使用起來(lái)不方便。雙極性磁接近開(kāi)關(guān)不需要區(qū)分磁極性，具有很大的靈活性和方便性。例如，全極性霍爾開(kāi)關(guān)有一個(gè)磁場(chǎng)來(lái)區(qū)分所有極性。只要磁場(chǎng)的北極或南極靠近，它就可以打開(kāi)。當(dāng)磁場(chǎng)被抽離時(shí)，輸出關(guān)閉。與其他霍爾傳感器不同，霍爾傳感器不需要特定的北極或南極來(lái)操作，該組件識(shí)別磁極的難度較小。產(chǎn)品采用動(dòng)態(tài)偏移技術(shù)，可除封裝應(yīng)力、熱應(yīng)力、溫度梯度引起的偏移電壓，提高器件一致性。

磁接近開(kāi)關(guān)是一種單極霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)集成電路。它的一個(gè)感應(yīng)面對(duì)磁鐵的S極極為敏感。假設(shè)這個(gè)表面是S平面，那么另一邊對(duì)北極非常敏感。

這兩個(gè)開(kāi)關(guān)A型和B型磁接近開(kāi)關(guān)芯片堆疊在一起，壓合一個(gè)芯片在前面，S朝外，芯片在B和N面朝外，兩個(gè)芯片的0、0B開(kāi)路連接作為輸出，共用同一電源，并封裝在一個(gè)銅制羅盤(pán)器件中，作用是使芯片表面朝向磁極N或S、 結(jié)構(gòu)原理，見(jiàn)圖1。

由于A芯片和B芯片來(lái)回堆疊，磁場(chǎng)須穿過(guò)B芯片的敏感表面，因此B芯片的靈敏度會(huì)明顯降低。實(shí)驗(yàn)證明，磁體對(duì)底部B芯片的觸發(fā)距離比A芯片縮短了約1.5mm。為了補(bǔ)償B芯片靈敏度的降低，可以在其后面加入少量的鐵磁材料。稀土磁鋼的磁場(chǎng)可以無(wú)補(bǔ)償?shù)赝ㄟ^(guò)A芯片觸發(fā)B芯片，當(dāng)S極靠近傳感器時(shí)，A芯片輸出；當(dāng)N極靠近傳感器時(shí)，B芯片輸出。這樣，不管磁鐵的哪個(gè)磁極靠近傳感器，不管磁鐵的極性如何，都會(huì)有芯片輸出。雙極性開(kāi)關(guān)霍爾效應(yīng)傳感器的優(yōu)點(diǎn)是不需要關(guān)心磁極性，傳感器具有很強(qiáng)的互換性，易于更換和維護(hù)。缺點(diǎn)是使用兩個(gè)芯片的成本略有增加，B芯片的工作距離略有縮短。